Ons werk

EBL2, de EUV belichtings- en analysefaciliteit

Sinds 2000 is TNO actief in het onderzoek naar de interactie van EUV met verschillende materialen. In het kader hiervan is een tweede faciliteit voor EUV-belichting en in-situ oppervlakteanalyse – ook wel EBL2 – ontwikkeld om de ASML power roadmap te faciliteren. Dit systeem stelt klanten in staat hun materialen/componenten te evalueren voor wat betreft NXE-relevante EUV-bestraling en omgevingsfactoren, om zo het hoofd te bieden aan uitdagingen op het gebied van contaminatie en levensduur.

Wilt u meer informatie?

Neem contact met ons op!

Contact

TNO houdt zich bezig met het ontwikkelen van de hoogste normen en instrumentatie bij vervuilingsbeheersing, met als doel zowel deeltjes- als moleculaire contaminatie te elimineren. TNO beschikt over de meest geavanceerde faciliteiten, inclusief ultraschone apparatuur voor  het testen van EUV-maskers, apparatuur voor inspectie en analyse voor zowel deeltjes- als moleculaire contaminatie en diverse andere inspectie- en reinigingsapparatuur. Wij zetten onze 20 jaar aan kennis en ervaring in bij het ontwikkelen van de nieuwste, meest innovatieve en betrouwbare oplossingen. TNO is koploper op het gebied van vervuilingsbeheersing, zowel bij de huidige immersie-lithografie-tools als bij de meest recente innovaties in EUV-lithografie.

De belangrijkste faciliteit voor EUV-ontwikkeling is de EUV Beam Line 2 (EBL2) (zie hieronder). Dit geïntegreerde vacuümsysteem bestaat uit een vacuümkamer voor het uitvoeren van EUV-belichtingen in een gecontroleerde omgeving en een XPS voor oppervlakteanalyse. Monsters kunnen hierin tussen de testomgeving en de XPS worden getransporteerd zonder het vacuüm te verstoren.

EBL2 in de cleanroom

De onderstaande tabel geeft een overzicht van de belangrijkste eigenschappen van EBL2. Het systeem accepteert uiteenlopende monstergroottes, inclusief standaard EUV-reticles met of zonder pellicles.

  • Optisch vermogen >1 W in 2% BW bij 13,5 nm (“IB”) (10 W in OoB ((10-20 nm )) bij 3 kHz
  • Intensiteit >1 W/mm2 IB in focus bij 3 kHz
  • Dwarsdoorsnede optische focus 1 – 30 mm diameter (instelbare vermogensdichtheid)
  • Bronfrequentie 1 Hz – 10 kHz (standaard 3 kHz)
  • Monstergrootte Max. 152x152x20 mm (EUV-masker + pellicle mogelijk)
  • Dosisbeheersing <20 %  bij uitgeschakelde terugkoppeling bron  
  • Ononderbroken belichtingsduur >100 uur
  • In-vacuüm analysetechnieken Ellipsometrie en XPS

De hieronder afgebeelde EBL2 bevat een vacuümomgeving waarin monsters voor langere tijd in een gecontroleerde, representatieve omgeving kunnen worden blootgesteld aan EUV-straling. Voor de realtime monitoring van de voortgang van de blootstelling is een in-situ ellipsometer met beeldvorming beschikbaar.

EBL2 van andere kant

EBL2 beschikt ook over een XPS-systeem dat EUV-maskers en -pellicles kan analyseren, inclusief functionaliteit om een ‘defectenkaart’ te produceren. De geautomatiseerde monsterbehandeling accepteert SEMI-standaard dual pods en handhaaft NXE-compatibiliteit voor deeltjescontaminatie op de achterkant. Het systeem is zodoende geschikt voor het belichten van monsters tot een zeer hoge doses EUV en om de reticles vervolgens terug te kunnen sturen voor gebruik in een wafer fab.

Contact

Wilbert Staring MBA MSc

  • Semiconductor Equipment
  • EUV
  • Mask Infrastructure
  • EUV
  • EUV Pellicle
E-mail

VOLG TNO OP SOCIAL MEDIA

blijf op de hoogte van ons laatste nieuws, vacatures en activiteiten

Op TNO.nl maken we gebruik van cookies. De daarin opgeslagen informatie kan bij een volgend bezoek weer naar onze servers teruggestuurd  worden.