Dr. ir. Rob Willekers
- Space Systems Engineering
Als gevolg van de voortdurend strenger wordende metrologische eisen voor de productie van nodes van 1X nm moet het mogelijk zijn om defecten van minder dan 10 nm te meten. Dit is een van de grote uitdagingen met betrekking tot blanco wafers, wafers met patroon en maskers. De huidige technieken voldoen nog niet afdoende aan deze metrologische eisen en hebben hun grens bereikt.
Scanning probe-microscopie (SPM) is een van de technologieën waarmee kan worden voldaan aan de toekomstige metrologische eisen en inspectie-eisen, omdat het hiermee mogelijk is om een 3D-beeld te krijgen van de atomische structuur van het substraat. TNO beschikt over een uitstekende technologie waarmee het mogelijk is om een groot aantal geminiaturiseerde SPM-koppen te gebruiken voor een relatief groot monster, zoals een wafer of masker. Dat betekent een doorbraak in de doorvoersnelheid van SPM.
Elektronica
Metrologie
De vraag is verzonden! Je ontvangt binnenkort een bevestigingsmail.
Er is helaas iets misgegaan. Probeer het later opnieuw!