Ons werk

SeNaTe: Technologie voor IC’s met 7 nanometer-structuren

Het ECSEL JU project SeNaTe (Seven Nanometer Technology) is gericht op de ontwikkeling en integratie van technologie om chips met kritische dimensies van 7 nanometer te maken. Het voldoet daarmee aan de behoeftes van de halfgeleiderindustrie en aan de ITRS-roadmap. Het project omvat activiteiten op het gebied van geavanceerde maak- en meetprocessen, nieuwe materialen en infrastructuur.

SeNaTe is thematisch verbonden met eerder gestarte ENIAC JU KET pilot line projecten gericht op 450mm/300mm technologie voor de vervaardiging van chips met kritische dimensies van 12 en 10 nanometer. Het project zal zich richten op de ontwikkeling van apparatuur voor het maken en meten van chips met 7 nanometer structuren. De introductie van nieuwe materialen zal uitdagingen opleveren voor de betrokken processen en apparatuur. Naast depositieprocessen zal er ook aandacht zijn voor etsen, reinigen en polijsten. TNO zal in nauwe samenwerking met partners werken aan het oplossen van een aantal problemen samenhangend met Extreem UV-lithografie. Het consortium omvat 39 leden uit 8 verschillende landen, waaronder veel MKB-ers en onderzoeksinstituten en chipfabrikanten als eindgebruikers.

Seven Nanometer Technology

Het technische werk is verdeeld over vijf werkpakketten. De doelstelling van het eerste werkpakket is het ontwikkelen van apparatuur voor EUV-lithografie, die voldoet aan alle technische en economische eisen voor het in massa produceren van chips met kritische dimensies van 7 nanometer. Het tweede werkpakket heeft tot doel metrologie-apparatuur te ontwikkelen en die te combineren in holistische systemen. Een derde werkpakket richt zich op de ontwikkeling van de diverse processen die voor de chipfabricage benodigd zijn. Het vierde werkpakket richt zich op de gebruiksaspecten van EUV-lithografiemaskers. Onderdeel daarvan is het ontwikkelen van meetsystemen om de resterende uitdagingen te overwinnen. De doelstelling van het vijfde werkpakket is de resultaten van de overige werkpakketten te beoordelen op hun bruikbaarheid bij het fabriceren van chips met kritische dimensies van 7 nanometer. Nadruk ligt daarbij op prestaties, energie, oppervlak en kosten.

De rol van TNO

Een belangrijk onderwerp voor TNO is Scanning Probe Microscopy.  TNO zal een mechanisme ontwikkelen om automatisch de cantilever (probe) te vervangen. Daarmee neemt de betrouwbaarheid en beschikbaarheid toe, hetgeen toepassing in de fabriek mogelijk maakt. Samen met FEI zal TNO onderzoek doen naar koolstof-verontreiniging in Transmissie Elektronen Microscopie. Daarnaast zal TNO een nieuwe faciliteit bouwen om degradatie van lithografiemaskers onder invloed van EUV-straling te onderzoeken: EBL2. Met deze faciliteit zal TNO samen met ASML, Imec en AMTC een meetprogramma uitvoeren. Een laatste TNO-activiteit is gericht op verontreiniging van lithografiemaskers door deeltjes. TNO en partner ASYS realiseren samen een ultraschoon machineplatform. De integratie van een nieuw optisch meetapparaat (RapidNano4) maakt het mogelijk om extreem lage aantallen deeltjes te meten, tot wel 20 nm klein. Deze faciliteit zal worden toegepast in een meetcampagne met Imec en Entegris, gericht op transport en opslag.

EBL2: faciliteit voor het blootstellen van lithografiemaskers aan EUV-straling
Kennis

TNO International Centre for Contamination Control (ICCC)

Volgens de Wet van Moore verdubbelt het aantal transistors op het oppervlak van chips bijna elk jaar. De behoefte aan de bewerking van kleinere oppervlakken neemt toe. Bij deze ontwikkelingen is de vervuilingsbeheersing... Lees verder
Ons werk

Lithografie met extreem ultraviolet licht (EUV)

Onze computers worden steeds sneller. De mogelijkheden die chips bieden, worden steeds groter. De productiemachines voor die chips moeten dus steeds geavanceerder zijn. Een lithografiemachine, een machine... Lees verder
Ons werk

E450LMDAP: Ontwikkelingen in het schrijven van patronen

Het ENIAC JU project E450LMDAP (European 450mm Lithography and Metrology Development for Advanced Patterning) is gericht op de ontwikkeling van apparatuur voor 300 mm lithografie en 300/450 mm metrologie.... Lees verder
Kennis

Nieuwe generatie lithografie

Grote innovaties op het gebied van lithografie, zoals bijvoorbeeld EUV-technologie en 450 mm wafers, leveren zowel nieuwe uitdagingen als nieuwe kansen op. Bedrijven in deze branche vertrouwen op TNO... Lees verder

Contact

Dr. ir. Olaf Kievit

  • halfgeleiders
  • reinheid
  • lithografie
  • metrologie
  • Horizon 2020
E-mail

Wij gebruiken anonieme cookies om het gebruik van onze site te verbeteren.