Voorkomen verontreiniging ultravioletlithografie

Thema:
System lifetime productiviteit

TNO is specialist in verontreinigingsbeheersing voor extreem ultravioletlithografie (EUV). We ontwikkelen modules, onderzoeksapparatuur en strategieën voor de verontreinigingsbeheersing van EUV-lithografie scanners en materialen en zijn daarin al 20 jaar vaste partner van ASML en Carl Zeiss.

Koploper in vervuilingsbeheersing

We zijn specialist in onderzoek naar vervuilingsbeheersing. We ontwikkelen instrumentatie en strategieën voor toepassingen met de meest uitdagende eisen in de industrie, waaronder EUV lithografie. Het doel is om zowel deeltjes- als moleculaire contaminatie te mitigeren. We hebben geavanceerde faciliteiten voor inspectie en analyse van contaminatie, reinigingsapparatuur, en opstellingen om de invloed van EUV licht en plasma te onderzoeken. Onze ultraschone apparatuur is ook geschikt voor validatie van de EUV-maskers.

Onze infrastructuur voor verontreinigingsbeheersing

TNO heeft de infrastructuur voor onderzoek en innovatie (R&D) uitgebreid. Deze tweede EUV-belichtingsopstelling inclusief oppervlakteanalyse-apparatuur is in 2018 in gebruik genomen. Hij wordt gebruikt voor onderzoek naar materialen als optica, reticles en pellicles, in samenwerking met diverse partijen in het EUV-lithografieveld: leveranciers van materialen, eindgebruikers en apparatuurontwikkelaars.

Faciliteit voor belichting en analyse: EBL2

We onderzoeken sinds 2000 de interactie van EUV met verschillende materialen. Om de ASML power roadmap te faciliteren is een tweede faciliteit ontwikkeld voor EUV-belichting en in-situ oppervlakteanalyse, ook wel EBL2. Dit systeem helpt klanten hun materialen en componenten te evalueren op NXE-relevante EUV-bestraling en omgevingsfactoren. Om zo de levensduur te vergroten en verontreiniging tegen te gaan.

De EUV Beam Line 2

De belangrijkste faciliteit voor EUV-ontwikkeling is de EUV Beam Line 2 (EBL2). Dit geïntegreerde vacuümsysteem bestaat uit een vacuümkamer voor het uitvoeren van de EUV-belichtingen in een gecontroleerde omgeving en een XPS voor oppervlakteanalyse. Monsters kunnen hierin tussen de testomgeving en de XPS worden getransporteerd zonder het vacuüm te verstoren.

EUV Beam Line two
De EUV Beam Line 2 van TNO

In het vacuümsysteem van de EBL2 op de afbeelding, worden monsters voor langere tijd in een gecontroleerde, representatieve omgeving blootgesteld aan EUV-straling. Voor de realtime monitoring van de voortgang van de blootstelling is een in-situ ellipsometer met beeldvorming beschikbaar.

Specificaties EBL2: functionaliteiten

  • Het systeem accepteert uiteenlopende monstergroottes, inclusief standaard EUV-reticles met of zonder pellicles.
  • EBL2 heeft ook een XPS-systeem dat EUV-maskers en -pellicles kan analyseren, inclusief functionaliteit om een ‘defectenkaart’ te produceren.
  • De geautomatiseerde monsterbehandeling accepteert SEMI-standaard dual pods en handhaaft NXE-compatibiliteit voor deeltjescontaminatie op de achterkant.
  • Het systeem is geschikt voor het belichten van monsters tot een zeer hoge doses EUV. En om de reticles vervolgens terug te kunnen sturen voor gebruik in een wafer fab.
Specificaties EBL2
Categorie Specificatie
Optisch vermogen >1 W in 2% BW bij 13,5 nm (“IB”) (10 W in OoB ((10-20 nm )) bij 3 kHz
Intensiteit >1 W/mm2 IB in focus bij 3 kHz
Dwarsdoorsnede optische focus 1 – 30 mm diameter (instelbare vermogensdichtheid)
Bronfrequentie 1 Hz – 10 kHz (standaard 3 kHz)
Monstergrootte Max. 152x152x20 mm (EUV-masker + pellicle mogelijk)
Dosisbeheersing <20 % bij uitgeschakelde terugkoppeling bron
Ononderbroken belichtingsduur >100 uur
In-vacuüm analysetechnieken Ellipsometrie en XPS

Laat je verder inspireren

Er zijn geen resultaten voor deze selectie.